semiconductor1 SiC 반도체의 특성 및 활용 분야 SiC는 규소(Si)와 탄소(C)의 화합물입니다. 1891년 미국인 애치슨이 인공 다이아몬드를 만들기 위한 목적으로 코크스와 점토의 혼합물을 탄소 아크 등으로 가열하는 과정에서 반짝이는 물질을 발견하면서 알려졌습니다. SiC 반도체는 규소와 탄소의 화합물로 구성된 반도체입니다. SiC 반도체의 특성 실리콘 대비 3배 넓은 밴드갭을 가지므로 열에 의한 영향이 적음 실리콘 대비 절연파괴전계(소재가 견딜 수 있는 전압의 세기)가 약 10배 높아 고전압에서도 동작이 가능 실리콘 대비 2배 빠른 전자포화 속도를 가져서 고주파 동작이 가능한 소자 제작에 용이 실리콘 대비 5배 높은 열 전도도를 가지므로 고전압에서 발생하는 열이나 고온 환경에서도 안정적 SiC 반도체 활용 분야 군수, 항공 등 첨단 산업의 전력변환 .. 2022. 6. 14. 이전 1 다음
